Resumen

Dinámica de paquetes de ondas de huecos bajo acoplamiento espín-órbita tipo Rashba Se estudia la dinámica de un paquete de ondas gaussiano de huecos pesados, en presencia de interacción espín-órbita tipo Rashba, para un sistema semiconductor cuasi-unidimensional. Se utiliza un esquema en diferencias finitas, basado en la aproximación de Cayley, y se extiende a la solución de la ecuación de Schrödinger dependiente del tiempo para huecos. Se muestra el fenómeno de la precesión del espín de los huecos, a través de una simulación numérica de la evolución temporal de las componentes del paquete. Es posible evaluar parámetros relevantes, e. g. dimensiones y tiempos de inversión de la polarización, en un dispositivo modelado como transistor de efecto campo de espín, que utilice en calidad de portadores a los huecos.

Palabras clave: Espintrónica acoplamiento espín-órbita transporte espín polarizado en semiconductores transistor de efecto campo de espín.

2013-02-08   |   618 visitas   |   Evalua este artículo 0 valoraciones

Vol. 5 Núm.1. Abril 2013 Pags. 76-88 Nova Scientia 2013; 5(1)