Resumen

Se realizaron estudios estructurales y de impedancia eléctrica de nanoestructuras semiconductoras de ZnO, las partículas se encuentran sintetizadas en forma de polvo y películas en substratos de vidrio. Se describe también el proceso de deposición de las películas a través del método SILAR, proceso que se deriva de la técnica CBD (Chemical Bath Deposition). El análisis XRD muestra tamaños de cristalito de hasta 100 Å, y coeficientes de texturas comprendidos entre 3.5 y 1.5 para las películas, además de encuentra influencia en la calidad de la película en respuesta al precursor de zinc empleado. La técnica de Espectroscopía de Impedancias indica que el polvo de ZnO compactado presenta un comportamiento altamente resistivo, con resistencia del orden 3.2 x 10⁸ Ω, llegando sugerir que el material tiende a comportarse como capacitivo puro.

Palabras clave: EIS nanoestructura SILAR XRD ZnO.

2014-01-30   |   325 visitas   |   Evalua este artículo 0 valoraciones

Vol. 18 Núm.2. Agosto 2013 Pags. 309-314 Scientia et technica 2013; 18(2)